Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры : автореферат дис. на соискание ученой степени канд. физико-математических наук : 01.04.10 - физика полупроводников / Сергей Васильевич Шпаковский

Автор(ы): Шпаковский, Сергей ВасильевичЯзык документа: Русский.Страна публикации: BY.Издательство: Минск, 2012Физическая характеристика: 23 с. ; 20 смББК: 22.379.23Note(s): Резюме на белорусском, русском и английском языках; Библиография: с. 17-20 (27 назв.).Наименование темы, используемое как предмет: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ | КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ | ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД | ЭЛЕКТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ | ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ | КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ | РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ | ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ | РЕАКТИВНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Предметная категория: Белорусский национальный документ
Метки из этой библиотеки: Меток нет.
Зарегистрируйтесь, чтобы добавлять метки.
    средняя оценка: 0.0 (0 голосов)
Тип единицы Местонахождение Состояние
Авторефераты диссертаций Авторефераты диссертаций
Витебская областная библиотека. Отдел хранения основного фонда
Выдается

Резюме на белорусском, русском и английском языках

Библиография: с. 17-20 (27 назв.)

Нет никаких комментариев для этого документа.

Войти в учётную запись для возможности публиковать комментарии.
Языки: