000 03156cam0 2200469 ia4500
001 BY-NLB-br0001767141
100 ^a20230216d2022 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^dbel
^drus
^deng
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
200 1 ^aВыращивание и свойства полупроводниковых монокристаллов твердых растворов (In2S3)x·(AgIn5S8)1-x
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
^eспециальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
^fФещенко Артем Александрович
^gБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
210 ^aМинск
^d2022
215 ^a21 с.
^cтабл.
^d21 см
300 ^aРезюме параллельно на белорусском, русском и английском языках
320 ^aБиблиография: с. 17—18 (13 назв.)
606 0 ^3BY-NLB-ar17342
^aЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar21821
^aОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar33510
^aТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar1932605
^aФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2743697
^aИСПОЛЬЗОВАНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar24588
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar33920
^aТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar24610
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar32980
^aТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar3182122
^aСУЛЬФИД ИНДИЯ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar42268
^aВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2892270
^aБРИДЖМЕНА МЕТОД
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2764600
^aСВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a32.843.329
^2rubbk
690 ^a2
^9BY-VI0000
^2Base
^xRSEK
700 1 ^3BY-PLRB-ar13568387
^aФещенко
^bА. А.
^gАртем Александрович
^cкандидат технических наук
^cинформационные технологии
^fрод. 1994
712 0 2 ^3BY-NLB-ar186905
^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^4595
^4995
801 0 ^aBY
^bBY-HM0000
^c20220510
^gRCR
801 2 ^aBY
^bBY-VI0000
^c20230216
^gRCR
035 ^a(BY-VI0000)BY-NLB-br0001767141
899 0 ^aBY-VI0000
^iФ 47