000 02726cam0 2200445 ia4500
001 BY-NLB-br0001770232
100 ^a20220822d2022 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^deng
^dbel
^drus
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aШумовые полупроводниковые диоды с управляемым уровнем дефектности высоколегированных кремниевых структур
^eавтореферат диссертации на соискание уч. ст. кандидата техн. наук
^eспециальность 05.27.01 Твердотельная электроника
^fБуслюк Виктор Вячеславович
^gБГУ информатики и радиоэлектроники
210 ^aМинск
^d2022
215 ^a23 с.
^cил.
^d21 см
300 ^aРезюме параллельно на бел., рус., англ. яз.
320 ^aБиблиография: с. 17—20 (33 назв.)
606 0 ^3BY-NLB-ar11562
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2644439
^aЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar15092
^aКРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar8045225
^aЛЕГИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar25538
^aПРИМЕСИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar9083
^aДЕФЕКТЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar4348477
^aДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar39284
^aЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar38860
^aЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a32.853.2
^2rubbk
690 ^a2
^9BY-VI0000
^2Base
^xRSEK
700 1 ^3BY-SEK-ar13918071
^aБуслюк
^bВ. В.
^gВиктор Вячеславович
^cрадиоэлектроника
712 0 2 ^3BY-NLB-ar186905
^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^4995
712 0 2 ^3BY-NLB-ar78816
^aБрестский государственный технический университет
^4595
712 0 0 ^3BY-RLST-ar138465
^a"Цветотрон"
^gоткрытое акционерное общество
^cБрест
^4595
801 0 ^aBY
^bBY-HM0000
^c20220524
^gRCR
801 2 ^aBY
^bBY-VI0000
^c20220822
035 ^a(BY-VI0000)BY-NLB-br0001770232
899 0 ^aBY-VI0000
^iБ 92