000 02996cam0 2200481 ia4500
001 BY-VI0000-br30586125
100 ^a20181204d2018 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^deng
^drus
^dbel
102 ^aBY
105 ^ay m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aДрейф и диффузия электронов по трехзарядным точечным дефектам в полупроводниковых кристаллах и диодах
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
^eспециальность 01.04.10 Физика полупроводников
^fКовалев Александр Игоревич
^gБелорусский государственный университет
210 ^aМинск
^d2018
215 ^a21 с.
^d20 см
300 ^aРезюме параллельно на бел., рус. и англ. яз.
320 ^aБиблиогр.: с. 17—18 (13 назв.)
606 0 ^3BY-NLB-ar17342
^aЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2644439
^aЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2485443
^aТРАНСПОРТ ЭЛЕКТРОНОВ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar56847
^aПРЫЖКОВАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar55517
^aИССЛЕДОВАНИЙ МЕТОДЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar5501780
^aЧИСЛЕННО-АНАЛИТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar24588
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2899203
^aКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar24610
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar11562
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar26857
^aРАДИАЦИОННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar87382
^aДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar26909
^aРАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-br2203367
^aТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
675 ^a621.38-03:621.315.592:539.16.043:537.311.1:517.958(043.3)
^v4
^zrus
675 ^a537.311.322:548.4:51(043.3)
^v4
^zrus
686 ^a22.379.2
^2rubbk
690 ^a2
^2Base
^9BY-VI0000
^xRSEK
700 1 ^3BY-SEK-ar13399842
^aКовалев
^bА. И.
^gАлександр Игоревич
^cфизик
712 0 2 ^3BY-NLB-ar167094
^aБелорусский государственный университет
^cМинск
^4995
801 0 ^aBY
^bBY-HM0000
^c20181204
^gRCR
035 ^a(BY-VI0000)BY-VI0000-br30586125
899 0 ^aBY-VI0000
^iК 56