000 02926cam0 2200433 ia4500
001 BY-VI0000-br30576619
005 20190731135513.0
035 ^a(BY-VI0000)BY-VI0000-br30576619
100 ^a20190118d2018 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^deng
^drus
^dbel
102 ^aBY
105 ^ay m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aМоделирование электрофизических свойств и технологических маршрутов изготовления интегральных полупроводниковых приборных структур
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
^eспециальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
^fЛагунович Наталия Леонидовна
^gИнститут физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси
210 ^aМинск
^d2018
215 ^a30 с.
^d20 см
300 ^aРезюме параллельно на бел., рус. и англ. яз.
320 ^aБиблиогр.: с. 19—27 (66 назв.)
606 0 ^3BY-NLB-ar18370
^aМИКРОЭЛЕКТРОНИКА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar37857
^aЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar14264
^aКОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar24592
^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar11906
^aИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar33870
^aТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar18380
^aМИКРОЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar33874
^aТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar33930
^aТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar39284
^aЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar33888
^aТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a32.853
^2rubbk
690 ^a2
^2Base
^9BY-VI0000
^xRSEK
700 1 ^3BY-SEK-ar13333262
^aЛагунович
^bН. Л.
^gНаталия Леонидовна
^cэлектроника
^fрод. 1972
712 0 2 ^3BY-NLB-ar2380680
^aИнститут физики имени Б. И. Степанова
^cМинск
^4995
801 0 ^aBY
^bBY-VI0000
^c20190118
^gpsbo
899 0 ^aBY-VI0000
^iЛ 14