| 000 | 02211cam0 2200397 ia4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BY-VI0000-br30243790 | ||
| 005 | 20211209124858.0 | ||
| 100 | ^a20120913d2012 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | ^arus | |
| 102 | ^aBY | ||
| 105 | ^a||||m 000yy | ||
| 109 |
^aac ^aaa |
||
| 200 | 1 |
^aРеактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры ^eавтореферат дис. на соискание ученой степени канд. физико-математических наук ^e01.04.10 - физика полупроводников ^fСергей Васильевич Шпаковский |
|
| 210 |
^aМинск ^d2012 |
||
| 215 |
^a23 с. ^d20 см |
||
| 300 | ^aРезюме на белорусском, русском и английском языках | ||
| 320 | ^aБиблиография: с. 17-20 (27 назв.) | ||
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar11562 ^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar2379856 ^aКРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar2644439 ^aЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar3174631 ^aЭЛЕКТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar12158 ^aИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar2899203 ^aКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar26909 ^aРАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar23296 ^aПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ^2DVNLB |
|
| 606 | 0 |
^3BY-NLB-ar5297750 ^aРЕАКТИВНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ^2DVNLB |
|
| 615 |
^3BY-SEK-ar1826174 ^aБелорусский национальный документ |
||
| 686 |
^a22.379.23 ^2rubbk |
||
| 690 |
^a2 ^9BY-VI0000 ^2Base ^xRSEK |
||
| 700 | 1 |
^3BY-SEK-ar5310430 ^aШпаковский ^bС. В. ^gСергей Васильевич ^4070 |
|
| 801 | 0 |
^aBY ^bBY-VI0000 ^c20120913 ^gpsbo |
|
| 899 |
^aBY-VI0000 ^iШ 83 |
||
| 035 | ^a(BY-VI0000)BY-VI0000-br30243790 | ||