000 03256cam0 2200421 ia4500
001 BY-VI0000-br30448557
005 20211209120351.0
100 ^a20160705d2015 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^dbel
^drus
^deng
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aПриборно-технологическое моделирование МОП-транзисторов в процессе иерархического проектирования интегральных микросхем
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
^eспециальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
^fЧан Туан Чунг
^gБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
210 ^aМинск
^d2015
215 ^a22 с.
^cил.
^d20 см
300 ^aРезюме на белорусском, русском, английском языках
311 ^aВ фонде НББ имеется диссертация
320 ^aБиблиогр.: с. 17-19 (19 назв.)
488 0 ^1001BY-NLB-br0001252873
^12001
^aПриборно-технологическое моделирование МОП-транзисторов в процессе иерархического проектирования интегральных микросхем
^fЧан Туан Чунг
^1210
^aМинск
^d2015
^1215
^a135, [1] л.
^cил.
^18564
^uhttp://dep.nlb.by/jspui/bitstream/nlb/50570/2/default.html
606 0 ^3BY-NLB-ar11906
^aИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar1589
^aАВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2287762
^aПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar64055
^aМОП-СТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar38874
^aЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar3282517
^aСХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar14264
^aКОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar25739
^aПРОГРАММНЫЕ КОМПЛЕКСЫ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a32.844.15-02
^2rubbk
690 ^a2
^9BY-VI0000
^2Base
^xRSEK
700 0 ^3BY-SEK-ar9023126
^aЧан Туан Чунг
^cэлектроника
^cрадиоэлектроника
^4070
712 0 2 ^3BY-NLB-ar186905
^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^4595
^4995
801 0 ^aBY
^bBY-VI0000
^c20160705
^gpsbo
899 ^aBY-VI0000
^iЧ-18
035 ^a(BY-VI0000)BY-VI0000-br30448557