000 02874cam0 2200421 ia4500
001 BY-CNB-br5762069
100 ^a20250217d2025 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^dbel
^drus
^deng
102 ^aBY
105 ^aa ||||000yy
109 ^aac
200 1 ^aФормирование, электропроводящие и зарядовые свойства пленок наноструктурированного графитоподобного нитрида углерода
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
^eспециальность 05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы (материалы для электроники и фотоники)
^fФам Ван Тунг
^gУО "Белорусский гос. ун-т информатики и радиоэлектроники"
210 ^aМинск
^d2025
215 ^a22 с.
^cил.
^d20 см
300 ^aРезюме параллельно на бел., рус. и англ. языке
320 ^aБиблиография: с. 18—19 (10 назв.)
517 1 ^aФормирование, электропроводящие и зарядовые свойства плёнок наноструктурированного графитоподобного нитрида углерода
606 ^3BY-NLB-ar34161
^aТОНКИЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar6806725
^aСЛОИСТЫЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar14260543
^aНИТРИД УГЛЕРОДА
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar9616685
^aНАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ УГЛЕРОД
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar2493283
^aХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar2694522
^aВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar1967321
^aВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar5836467
^aМЕМРИСТОРЫ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a24.714.2
^2rubbk
690 ^a2
^2Base
^9BY-VI0000
^xRSEK
700 0 ^3BY-CNB-ar2777708
^aФам Ван Тунг
^cкандидат физико-математических наук
^cнанотехнологии
^4070
712 0 2 ^3BY-NLB-ar186905
^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^4995
^4595
801 0 ^aBY
^bBY-HM0005
^c20250217
^gRCR
801 2 ^aBY
^bBY-VI0000
^c20250814
^gRCR
035 ^a(BY-VI0000)BY-CNB-br5762069
899 0 ^aBY-VI0000
^iФ 20